落球回弹试验仪,介电击穿强度测定仪

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  • 产品名称：四探针薄膜电阻测试仪器

  • 产品型号：FTDZS-I
  • 产品厂商：北京冠测
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简单介绍：
该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准,并参考美国 ASTM 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。 仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。
详情介绍：

测量半导电电阻率时： 电阻率10-4--105Ω-cm；分辩率10-6Ω-cm

                      测量其他（落球回弹试验仪,介电击穿强度测定仪）电阻时： 电阻10-4--2X105Ω，分辨率1uΩ

二、 数字1电压电流表： 1．  量限 2 mV、20 mV、200 mV、2V 2．  在测量相对误差  2mA档±(0.5%读数+8字)；20mV—2V挡±(0.5%读数+2字) 3．  现示4 1/2 五位数字现示0—19999兼有电性和电机负载系统自功现示，小数点、机关单位系统自功现示。 三、 恒流源： 1．  直流电压输出的：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA． 2.    电压电流误差度：±(0.5%读数+2字)




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